 Intel szykuje się do wprowadzenia pierwszych swoich układów pamięci NAND 3D zbudowanych w 64 warstwowej technologii i procesie 10 nanometrów.
Jest to dla firmy jednocześnie najbezpieczniejsza forma przejścia do nowego procesu technologicznego. Dzieje się tak, gdyż produkcja pamięci nieulotnej obarczona jest niskim ryzykiem niepowodzenia.
Dzięki procesowi 10 nanometrów wprowadzono 2.7 krotne zwiększenie liczby tranzystorów (FinFET Hyper Scaling). Poprzez to pierwsze kości pamięci Intela będą miały wysokie gęstości upakowania danych.
Pierwsze dyski SSD na tych pamięciach będą zatem skierowane głównie do centrów danych i można już zakładać, że nie będą to raczej tanie konstrukcje.
źródło: techpowerup.com |
