Naukowcy z Koreańskiego Instytutu Nauk i Technologii KAIST przedstawili propozycję nowych pamięci rezystancyjnych RRAM.

Opracowana technologia pozwala na tworzenie w pełni funkcjonalnych pamięci, przy czym odczyt i zapis do nich, realizowany w losowej kolejności, odbywa się w rozsądnym tempie.

Ważnym elementem jest tutaj to, że KAIST rozwiązał problem zakłóceń pomiędzy sąsiadującymi komórkami pamięci. Aby to było możliwe zastosowano w elastycznym podłożu wysokiej jakości tranzystory krzemowe oraz memrystory. Memrystory są to pasywne układy rezystora, kondensatora oraz cewki indukcyjnej.

Kluczową cechą tego elementu to histereza, gdzie stan systemu określany jest przez jego własną historię. Prąd przepływający przez memrystor powoduje występowanie zmian w strukturze atomowej. Są to po prostu oporniki z pamięcią i pozwalają tworzyć pamięci nieulotne.

Naukowcy mają nadzieję na to, że opracowana przez nich technologia pozwoli na tworzenie elastycznych pamięci, które trafią do równie elastycznej elektroniki. Na razie jednak nie wiadomo kiedy uda się skomercjalizować ten pomysł.

źródło: compulenta,ru