Toshiba Corporation opracował nową generację pamięci Flash NAND wykonanych w 19 nanometrowym procesie produkcyjnym.

W ich produkcji wykorzystywana jest technologia 2-bit-per-cell. Układy te są 64 gigabitowe, a ich powierzchnia wynosi zaledwie 94 milimetry kwadratowe.

Nowe układy pozwalają uzyskiwać zapis rzędu 25 megabajtów na sekundę.

Jednocześnie Toshiba pracuje już nad jeszcze nowszymi układami 3-bit-per-cell. Ich masowa produkcja mogłaby ruszyć jeszcze w tym roku. Układy te mogłyby na początek znaleźć zastosowanie w smartfonach i tabletach poprzez kontrolery zgodne z eMMC, a później także w tabletach w ramach dysków SSD.

źródło: techpowerup.com