Firma Toshiba rożpoczęła prace zmierzające do stworzenie modułu NAND flash z trójwymiarową architekturą.

W 2013 roku firma chce zaproezentowa prototyp nowej generacji pamięci o pojemności 128 lub 256 GB a w 2014 roku firma planuje wydać próbki inżynierskie. Masowa produkcja została zaplanowana na 2015 rok. Firma planuje produkcję pamięci do 512 GB pojemności. W przyszłości Toshiba chce produkować pamięci o pojemności 1 TB lub więcej.

Ponadto Toshiba niedługo zaprezentuje próbki inżynierskie pamięci ReRAM z trójwymiarową architekturą. Pamięć ReRAM (lub RRAM) łączy w sobie zalety pamięci DRAM i pamięci NAND FLASH. Chipy ReRAM zapewniają takie same prędkości jak DRAM, pozostając pamięcią nieulotną. Nowe pamięci charakteryzują się niższym zużycem energii i większą liczbą cykli zapisu.

Toshiba jest również zaangażowana w rozwój STT-MRAM (Spin-Torque Transfer, STT). Technika ta ma na celu rozwiązanie problemów, które "klasyczna" technologia MRAM niedługo będzie posiadać w obliczu wzrastającej gęstości zapisu komórek pamięci oraz zwiększenie zapisu. MRAM są wykorzystywana jako pamięć cache w dyskach SSD.

Źródło: compulenta.ru