 Wspólnie firmy SanDisk oraz Toshiba poinformowały o nowym osiągnięciu jaki jest stworzenie układu pamięci flash typu NAND drugiej generacji.
Każda komórka przechowuje dwa bity danych, na całym układzie można przechować 128 GB. Głównym zastosowaniem układów będą dyski półprzewodnikowe.
Pilotażowa produkcja powinna rozpocząć się w fabryce Jokkaiti w drugiej połowie tego roku. Seryjnej produkcji można się spodziewać w 2016 roku.
Do tego czasu w Jokkaiti powinna powstać nowa fabryka w miejscu Fab2, w której mają być seryjnie produkowane układy 3D NAND flash.
Źródło: ixbt.ru |
