 Jako prawdziwy pionier w dziedzinie pamięci, Samsung Electronics Ltd ogłosił dzisiaj, że rozpoczyna masową produkcję pierwszych w branży pamięci 16 gigabitowych typu GDDR6.
Nowe pamięci mają znaleźć swoje miejsce w zaawansowanych systemach przetwarzania grafiki, co w skrócie oznacza jeszcze wydajniejsze karty graficzne.
Zbudowano je w zaawansowanej technologii 10 nanometrów co w porównaniu z procesem 20nm dla pamięci GDDR5 pozwoliło też podwoić ich pojemność. Nowe moduły działają przy tym z wydajnością 18 gigabitów na sekundę na pin co stanowi aż 72 GB/s prędkości efektywnej.
Moduły te pracują przy napięciu 1.35V co daje kolejny skok w stosunku do GDDR5 (1.55V). Patrząc na to oraz na ich nowe pamięci HBM2 2.4 Gbps 8GB, Samsung może radykalnie przyspieszyć przyszłe rozwiązania graficzne.
źródło: techpowerup.com |
