Samsung Electronics CO Ltd, światowy lider w dziedzinie zaawansowanych rozwiązań półprzewodnikowych, ogłosił właśnie zakończenie rozwoju pierwszego etapu budowania pamięci DDR4 z użyciem 30 nanometrowego procesu technologicznego.

"Samsung aktywnie wspiera branżę IT w inicjatywie ekologicznych pamięci, produktów innowacyjnych oraz pamięci oferujących wydajność i energooszczędność", powiedział Dong Soo Jun, prezes ds pamięci Samsung Electrnics. "Nowe DRAM DDR4 zbuduje jeszcze większe zaufanie do naszych najnowszych zielonych pamięci, szczególnie gdy wprowadzimy pamięci 4 GB DDR4".

Nowe moduły RAM będą w stanie osiągnąć transfer danych na poziomie 2.133 gigabita i to przy napięciu 1.2V. Równoważny proces produkcji dla pamięci DDR3 daje tylko 1.6 Gb/s przy zasilaniu 1.5 oraz 1.35V. Samsung będzie w stanie uruchomić produkcję nawet układów o prędkości 3.2 Gbps.

Nowe moduły korzystają z nowej technologii Pseudo Open Drain (POD), która została opracowana dla wysokiej wydajności układów graficznych DRAM, co umożliwia im pracę z o połowę mniejszym zapotrzebowaniem na prąd niż posiadają pamięci DDR3. Samsung obecnie planuje rozpocząć współpracę z producentami serwerów, aby ustandaryzować nowe pamięci.

Źródło: techpowerup