Naukowcy z Rice University (USA) opracowali specjalną pamięć, która w dłuższej perspektywie może się stać alternatywą dla dysków flash stosowanych w urządzeniach przenośnych.

Stworzona pod okiem chemika Jamesa Toura pamięć jest przezroczysta i elastyczna. Wytrzymuje przy tym temperaturę dochodzącą do 500 stopni Celsjusza co pozwala na jej stosowanie w na prawdę ekstremalnych warunkach.

Sama pamięć opiera się na tlenku krzemu. Wszystko jest trójwarstwowe. W środku znajduje się tlenek krzemu jako izolator. Na krawędziach znajduje się elektrody.

Kanały czystych kryształów krzemu mają około 5 nanometrów grubości. Kiedy pojawia się napięcie, atomy tlenu są oddzielane od tlenku krzemu tworząc przewodnik. Mniejsze napięcie przywraca stan izolatora, a komórka taka wykazuje właściwości przełącznika tworzącego nieulotną pamięć. Po prostu możemy mówić o przewodzeniu lub nie prądu w danej komórce.

Oprócz elastyczności i przejrzystości, nowa pamięć ma jeszcze jedną zaletę, jej elementy mogą być rozmieszczane w tablicy trójwymiarowej. To już otwarta droga do zwiększania gęstości przechowywanej informacji.

W tej chwili pamięć jest już wyprodukowana i przetestowana, charakteryzuje się też dużą szybkością. Teraz naukowcy chcą negocjować z producentami gadżetów nad zorganizowaniem masowej produkcji.

Źródło: compulenta.ru