 Spółka IM Flash Technologies, będąca spółką joint venture firm Intel oraz Mikron, zapowiedziała prace nad nowoczesnymi pamięciami NAND nowej generacji.
Zaprezentowali oni pierwsze na świecie układy NAND o pojemności 128 Gb. Wykonane one zostały w 20 nanometrowej technologii z wykorzystaniem dielektryków o wysokiej stałej (Hugh-k) oraz tranzystory z metalową bramką.
Produkt ma być zgodny ze specyfikacją ONFI 3.0 i dostarczać transfer rzędu 333 milionów przesłań na sekundę. Tak, więc dzięki połączeniu ośmiu układów istnieje ogromna szansa uzyskania transfer rzędu terabita.
Założeniem spółki jest wprowadzenie do sprzedaży dysków twardych o pojemności 2 TB dla obudowy 2.5 cala oraz 1.8 calowych o pojemności 1 TB.
Co ciekawe, pierwsze próbki 128Gb pojawią się już w styczniu, zaś ich produkcja ma ruszyć w pierwszym półroczu 2012 roku. Na razie rozpoczęli masową produkcję w technologii 20 nm pamięci NAND flash 64 Gb. Pojawią się one w tabletach, smartfonach oraz tradycyjnych dyskach SSD.
źródło: Intel |
