Koreański Hynix Semiconductors poinformowała o wyprodukowaniu pierwszych układów pamięci DRAM DDR4 przeznaczonych dla tradycyjnych komputerów i ECC-SODIMM dla systemów wykorzystywanych w przedsiębiorstwach.

Nowe moduły zostały oparte na 30 nanometrowym procesie produkcyjnym i spełniają wymogi JEDEC co też pozwala je stosować w mikroserwerach.

W informacji przekazanej przez Hynix wynika, że nowe moduły korzystają w najbardziej zaawansowanych technik litografii, co zmniejsza zużycie energii elektrycznej oraz daje 50 procentowy wzrost wydajności w porównaniu do obecnie stosowanych DDR3. W przypadku nowych modułów DDR4 szczytowy transfer wynosi aż 2440 Mb/s gdzie w starszych DDR3 było to zaledwie 1333 Mbps.

Nowe moduły DDR4 pracują z napięciem na poziomie 1.3V i korzystają z interfejsu o szerokości 64 bit.

Do masowej produkcji nowe moduły trafią najprawdopodobniej dopiero w drugiej połowie 2012 roku.